Intel si Numonyx, parteneriat in domeniul memoriilor
Intel
Intel Corporation ÅŸi Numonyx B.V. au anunÅ£at realizarea unui salt uriaÅŸ în cercetările asupra memoriei cu schimbare de fază (PCM), o nouă tehnologie de memorie non-volatilă, care combină multe dintre avantajele diverselor tipuri de memorie existente la ora actuală. Pentru prima dată, cercetătorii au prezentat un proiect de chip pe 64Mb, care permite plasarea mai multor straturi de memorii PCM pe o singură matriţă. Această dezvoltare deschide calea către construirea unor dispozitive de memorie de mare viteză, cu capacitate mai mare, consum energetic redus ÅŸi economii de spaÅ£iu ideale pentru memorie RAM ÅŸi aplicaÅ£ii de stocare.
Realizările sunt rezultatul unui program comun de cercetare, derulat de Numonyx ÅŸi Intel, care s-a concentrat asupra explorării straturilor de celule PCM stratificate sau multistratificate. În cadrul acestui program, cercetătorii Intel ÅŸi Numonyx pot acum să producă o celulă de memorie integrată vertical – numită PCMS. PCMS este alcătuită dintr-un element PCM stratificat cu Ovonic Threshold Switch (OTS), recent introdus în uz, într-un strat autentic de tip "cross point".
Capacitatea de a strafica sau aÅŸeza straturi de PCMS permite scalabilitate cu densităţi de memorie mai mari, dar în acelaÅŸi timp menÅ£ine caracteristicile de performanţă ale PCM – o provocare tot mai dificil de respectat cu tehnologiile tradiÅ£ionale de memorie.
"Continuăm să dezvoltăm sursele de tehnologii pentru memorii, pentru a obÅ£ine progrese în domeniul platformelor de computing", a declarat Al Fazio, Intel Fellow ÅŸi Director, Memory Technology Development. "Suntem încurajaÅ£i de acest important jalon pe care l-am bifat pe traseul cercetării ÅŸi considerăm că viitoarele tehnologii de memorie, cum este PCM, vor fi esenÅ£iale pentru extinderea rolului memoriei în soluÅ£iile de calcul ÅŸi în perfecÅ£ionarea capacităţilor pentru performanţă ÅŸi scalabilitate a memoriei."
"Rezultatele sunt extrem de promiţătoare," a declarat Greg Atwood, Senior Technology Fellow în cadrul Numonyx. "Rezultatele demonstrează potenÅ£ialul pentru densitate mai mare, ÅŸiruri scalabile ÅŸi modele de utilizare de tip NAND, pentru produsele PCM din viitor. Acesta este un element foarte important, căci tehnologiile tradiÅ£ionale flash memory se confruntă cu anumite limite fizice ÅŸi probleme de fiabilitate, însă cererea pentru memorie continuă să crească pe o gamă largă de produse, de la telefoane mobile la centre de date".
Celulele de memorie sunt construite prin suprapunerea unui element de stocare ÅŸi a unui selector; astfel, mai multe celule creează straturi de memorie. Cercetătorii de la Intel ÅŸi Numonyx au reuÅŸit însă să folosească un strat foarte subÅ£ire de OTS cu dublu terminal ca selector, corespunzător proprietăţilor fizice ÅŸi electrice pentru scalare PCM. Cu compatibilitatea PCM(S) în strat subÅ£ire, se pot obÅ£ine acum mai multe array-uri de memorie tip "cross point".
Odată integrate ÅŸi încorporate într-un array autentic de tip "cross point", straturile combinate cu circuite CMOS pentru funcÅ£ii de decodificare, detectare ÅŸi logică.
Mai multe informaÅ£ii despre celula de memorie, cross point array, experiment ÅŸi rezultate vor fi făcute publice într-o lucrare comună, intitulată "A Stackable Cross Point Phase Change Memory," (Memoria cu schimbare de fază, stacabilă, de tip "cross point"), va fi prezentată la Întâlnirea InternaÅ£ională din 2009 pentru Dispozitive Electronice, organizată în Baltimore, Maryland, pe 9 decembrie 2009. Lucrarea este realizată în comun de experÅ£i în tehnologie ai Intel ÅŸi Numonyx – ÅŸi va fi prezentată de DerChang Kau, Intel Senior Principal Engineer. Cititi mai multe articole din arhiva SMARTfuture